苹果最新一代 iPhone 18 Pro 系列手机已于上周开售。值得注意的是，该公司在高容量存储版本中采用了基于 QLC（四电平单元）的 NAND 闪存，这一决策似乎以牺牲部分性能为代价。Bilibili 频道 Homolab 近期对一台 1TB 容量的 iPhone 18 Pro Max 进行测试，发现其在持续高负载工况下，存储性能出现显著衰减。
相较于每个单元存储 3 位数据的 TLC（三电平单元）技术，QLC 每个单元可存储 4 位数据，从而在相同物理空间内提供更高容量。然而，这种高密度存储是以性能损耗为代价的，尤其在处理大规模数据时表现明显。
基准测试：QLC 性能落后 TLC
Homolab 将基于 QLC 的 1TB iPhone 18 Pro Max 与基于 TLC 的 512GB iPhone 18 Pro 进行对比。在 4K 读取测试中，两者表现相近；但在低队列深度的混合工作负载测试中，QLC 型号得分仅为 8,168，较 TLC 型号的 11,285 落后 38%。即便在更重的负载下差距缩小，TLC 存储方案仍保持 12% 的性能优势。
持续写入测试中的性能降级更为剧烈。iPhone 18 Pro Max 依赖快速 SLC 缓存实现高达 3,000 MB/s 的写入速度。一旦 SLC 缓存耗尽，系统将切换至基于 TLC 的二级缓冲区，平均速度降至约 578 MB/s。当两级缓存均耗尽，手机必须直接向底层 QLC NAND 写入数据，此时持续写入性能可能跌至 79.4 MB/s，极端情况下甚至低至 25.6 MB/s。
存储填充后性能进一步恶化
随着存储空间被占用，性能瓶颈愈发凸显。当存储使用率达到 60% 时，可用 SLC 缓存从 250GB 骤降至 58GB。这导致二级缓冲区速度进一步减速至 396 MB/s，而直接写入 QLC 的平均速度仅为 45 MB/s，偶尔低至 1.1 MB/s。这一速度水平仅与许多廉价 microSD 卡相当，远低于 microSD Express 卡。
需要指出的是，上述结果为合成基准测试下的极端情况。在浏览网页、即时通讯、游戏或拍照等日常任务中，用户通常不会感知到性能差异。性能短板主要在特定高负载场景下显现，如录制 4K 或 ProRes 视频、传输大型文件或恢复数据备份。Homolab 的测试揭示了在高容量旗舰智能手机中采用 QLC NAND 的技术权衡，这对频繁处理存储密集型任务的用户而言尤为重要。