美光（Micron）公布未来几年内存和存储路线图，涵盖DDR6、LPDDR6、HBM及NAND闪存等领域，旨在应对人工智能基础设施支出激增带来的硬件成本压力。
DRAM技术演进：1δ节点与DDR6
美光详细阐述了1δ（1-Delta）节点，作为1γ（1-Gamma）的后续产品。该节点采用埃米级工艺控制和HKMG CMOS结构，比特密度预计比前代提高约25%。美光预计1δ将于2027年下半年进入量产阶段，但目前尚未公布DDR6的具体发布日期。
1δ将支持DDR6和LPDDR6等下一代标准。其中，DDR6带宽将是DDR5的两倍以上。美光将DDR6定位为面向AI数据中心的高可靠性服务器内存，而非直接替代客户端PC中的DDR5。此前，美光曾展示512GB DDR5 RDIMM，如今其下一代技术将为高密度AI工作负载提供1TB容量的RDIMM，声称这将成为业界容量最高的RDIMM。
在LPDDR6方面，美光称其功耗效率比LPDDR5提升35%，部分密度下提升幅度更大。美光总裁兼首席技术和产品官Scott DeBoer表示，公司正与包括Meta在内的多家合作伙伴合作，在AI数据中心部署LPDDR6内存。
技术架构上，美光未来的内存产品将采用6F² DRAM技术，而非4F²，理由是后者在成本、复杂性和电容间距限制方面严重降低了可扩展性。下一代DRAM还将采用晶圆键合技术和High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻），随后可能转向新材料。此外，美光正在开发3D DRAM作为长期替代方案，并推出“vHBM”——一种将内存直接放置在计算芯片之上的垂直堆叠设计，旨在通过提高每瓦特带宽来提升下一代HBM芯片的效率。
NAND闪存：G11量产计划
在存储领域，美光概述了拥有超过400层结构的G11 NAND闪存量产计划。与G9相比，新产品旨在实现两倍的比特密度、1.5倍的I/O速度，以及单次数据传输能耗降低25%以上。该产品同样计划在2027年下半年投入生产，但官方发布日期尚未宣布。