英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳戴（Pushkar Ranade）近日坦言，即便意愿强烈，英特尔也无法将先进制程晶圆产量提高10倍。他指出，全球芯片制造设备供应不足是主要制约因素，产能翻倍已是当前极限。
在参观英特尔俄勒冈州最先进的工厂后，拉纳戴在接受采访时回应了关于产能扩张的疑问。面对AI算力每年约三倍的增长需求，他强调，除非整个供应链——从设备供应商到其上游及下层伙伴——同步增加产出，否则产量无法实现更快提升。“不是10倍，可能是2倍。”拉纳戴明确表示。
设备短缺制约产能扩张
阿斯麦（ASML）每年极紫外光刻机（EUV）产量不足100台，成为英特尔、台积电及内存厂商争夺的焦点。拉纳戴指出，EUV虽是最大瓶颈，但并非唯一，大多数芯片制造设备均处于短缺状态。目前订购的设备约需18个月交付，这意味着买家要到2028年才能收货，若在此基础上建设新工厂，投产时间将推迟至本世纪末。他反思称，若早知今日局势，英特尔会在设备采购上投入更多资金。
针对工艺演进，拉纳戴表示，一旦18A工艺定型，英特尔可将约80%的18A设备复用于下一代14A工艺，以缓解工具短缺压力。
技术层面已追平台积电
在谈及与台积电的竞争时，拉纳戴区分了规模与技术两个维度。他承认台积电在晶圆出货量上占据巨大优势，追赶这一差距将是渐进过程，但在技术层面，“我们认为已经做到了”。尽管外界基准测试显示英特尔2028年推出的14A工艺在晶体管密度上将匹配台积电N2工艺，拉纳戴强调密度仅是衡量标准之一。
英特尔工艺开发负责人克里斯·奥特（Chris Auth）补充道，英特尔14A工艺将引入阿斯麦的高数值孔径（High-NA）EUV机器，并配合背面供电技术。相比之下，台积电因缺乏背面供电技术，此前认为High-NA EUV尚不具备经济可行性，尽管其已为A16节点推出了类似的Super Power Rail方案。此外，奥特透露，14A工艺将从一开始就提供工艺设计套件（PDK），以改善客户体验，而18A工艺初期并未提供。
反思内存业务与探索新模式
拉纳戴坦诚回顾了英特尔退出内存业务的决策。几年前，英特尔将闪存业务出售给SK海力士。他承认，“事后看来，出售时机可能并不明智”，并指出当前的供应短缺对内存行业的影响甚于计算芯片。
在与埃隆·马斯克的合作中，英特尔正协助推进特斯拉和SpaceX在德克萨斯州的Terafab芯片工厂项目。拉纳戴表示，建厂比造车复杂得多，英特尔的介入旨在帮助加快进度。同时，他对行业传统提出质疑，特别是无尘室的必要性。他认为，现有企业不敢在生产线上冒险尝试无无尘室生产，但新建工厂有机会从零开始重新规划。
节目播出后，拉纳戴在社交平台上感谢了访谈者，并对双方合作表示满意。