美光计划跳过一代NAND闪存技术，直接从当前的第九代（G9）跃升至第十一代（G11），承诺推出层数突破400层、密度更高且速度更快的芯片。该公司预计将于2027年下半年开始量产爬坡。
美光现有的G9 NAND采用276层结构，首次应用于2024年7月发布的Micron 2650客户端固态硬盘（SSD）。美光总裁兼首席技术和产品官Scott DeBoer表示，这一跨越旨在为未来的AI产品带来实质性变革，甚至将NAND代数编号也纳入了AI营销战略之中。
性能宣称与技术路径
与G9相比，美光声称G11将使比特密度翻倍，输入/输出（I/O）速度提升高达50%，并将每个比特的传输能耗降低25%。DeBoer称：“这项G11技术是世界上最先进的NAND。”该设计采用了晶圆对晶圆键合技术，但关于密度、速度和效率的具体提升数据目前仍属于公司单方面宣称，更多技术细节将在临近发布时提供。
面向AI的两种存储方案
针对高要求的AI工作负载，美光提出了两种未来存储方案：
第一种方案侧重于提高每秒输入/输出操作次数（IOPS）。该方案使用单层单元（SLC）NAND和更小的区块，性能目标介于2500万到1亿IOPS之间，并规划未来SSD容量达到512TB。不过，美光尚未确定是否有单一出货驱动器能同时结合最大容量和最高性能指标。
第二种方案通过在基础介电层上方堆叠NAND层，并利用硅通孔（TSV）进行连接，以寻求更大的带宽。这种方式类似于高带宽内存（HBM）中的垂直连接，但NAND在系统中扮演的角色不同。美光希望存储设备能更靠近计算核心，以利用更快的连接速度，同时避免占用加速器旁宝贵的空间。DeBoer指出，虽然不紧邻加速器，但靠近计算核心本身可以充分利用高性能NAND并验证路径可行性。
这一举措使美光进入了闪迪（SanDisk）和SK海力士正在探索的高带宽闪存领域，后两者的设计同样是将NAND堆叠在逻辑或控制器介电层之上并连接至附近加速器。美光设想，其未来面向AI的NAND将广泛应用于个人电脑、工作站、汽车、机器人、移动设备和可穿戴设备。