据悉，埃隆·马斯克旗下的Terafab工厂将于明年年中接收首台极紫外（EUV）光刻设备。然而分析显示，由于特斯拉研发晶圆厂的建筑外壳预计至2027年底才能完工，设备进场时间也将推迟至同年晚些时候，这台昂贵的光刻扫描仪或将面临一段时间的闲置。
今年4月，特斯拉在德州奥斯汀Giga Texas北校区为研发晶圆厂破土动工。预计该建筑将在15个月内完工，随后还需六个月进行设备安装调试。此后，工厂将启动实验性晶圆处理，为Terafab量产工厂第一阶段的完工积累经验。
尽管ASML的EUV光刻机获取难度极大，提前数月存放意味着高昂的闲置成本，但这对于Terafab而言，并未构成传统芯片制造商那样严重的财务负担。
Terafab计划交付常规EUV光刻系统，表明其第一代半导体生产仍将依赖成熟设备，而非马斯克曾称赞的自由电子激光（FEL）光源。此举意在降低风险：采用未经测试的非传统光源需大幅修改制造流程并重新认证设备，将复杂化英特尔14A工艺的转移并推迟产能爬坡。Terafab将采用英特尔14A工艺，该工艺同时使用低数值孔径（Low-NA）和下一代高数值孔径（High-NA）EUV光刻机。
SpaceX于2026年8月初选定格雷姆斯县作为Terafab量产厂址。现有证据显示，工程已超越土地清理阶段。9月中旬的无人机画面显示，场地西北部正在进行地基挖掘和钢筋笼安装，表明承包商于9月初已启动结构施工。
分析预测，格雷姆斯第一阶段项目将在20个月内建成，17个月内完成设备配备，并在六个月内实现量产爬坡。该工厂预计于2029年底开始运营，2030年中旬实现量产。值得注意的是，SpaceX早在2026年4月——即正式宣布选址前几个月——就已订购半导体制造设备，显示出其对制造计划的早期承诺，这也使得2028年中期的设备安装预测更为合理。
若按计划推进，英特尔将于2027年下半年启动14A（1.4纳米级）工艺的风险试产，并于2028年下半年进入大规模制造（HVM）阶段。这意味着英特尔的HVM时间点至少比SpaceX Terafab格雷姆斯第一阶段早1.5年。
因此，当Terafab获得经过验证的先进制造技术时，其节点并非绝对最先进。台积电计划于2029年底利用A12工艺（1.2纳米级，第二代GAA晶体管及背面供电技术）量产芯片，届时英特尔也将接近发布14A-P节点。
尽管如此，由于Terafab主要服务于SpaceX、特斯拉和xAI的内部需求，稍落后的技术节点并非致命缺陷。利用内部生产设施所抵消的潜在成本增加，足以弥补使用更复杂制造技术带来的劣势。